APD12703雪崩光电探测器
APD12703
300～1000nm
产品描述：
雪崩光电探测器(APD)设计用于提供比标准 PIN 探测器更强的灵敏度和更低的噪声，非常适合于低光功率级别的应用。我们除了标准的 APD 之外，还提供具有可变增益(即M因子)的版本。
一般而言，雪崩光电二极管利用内部增益机制来增加灵敏度。将一个较高的反向偏压施加到该二极管来产生强电场。当入射光子产生一个电子空穴对时，电场使电子加速，导致由碰撞电离产生次级电子。所产生的电子雪崩将产生几百倍的增益因子，用倍增因子M表示，M 与反向偏压和温度呈函数关系。一般而言，M 因子随温度降低而增大，随温度升高而减小。类似地，M因子将在反向偏置电压升高时增大，在反向偏置电压降低时减小。
APD12703集成了热敏电阻，可调节偏置电压，以补偿温度变化对M因子产生的影响。
技术指标：
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项目 |
指标 |
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工作电压(V) |
9~12 |
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工作电流(mA) |
<200 |
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输出阻抗(Ω) |
50 |
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输出耦合方式 |
DC |
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输出连接头 |
SMA Female |
| 工作温度(℃) |
-10~+65 |
| 储存温度(℃) |
-40~+85 |
响应曲线：
注：响应曲线为典型值，仅供参考。
封装信息：
订货信息：
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序号 |
物资名称 | 数量 | 单位 |
备注 |
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1 |
光电探测器 | 1 | 个 |
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2 |
电源适配器 | 1 | 个 |
9V |
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3 |
SMA转BNC射频线 | 1 | 根 |
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| APD12703+雪崩光电探测器技术规格书-MY.pdf | 2026-01-31 |
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